產(chǎn)品介紹:
RAA225019ERGBM 是一款高度可配置的 PMIC,適用于 Intel IMVP9.2 Lunar Lake 應(yīng)用。 它完全集成了功率 MOSFET,多相控制器和電流檢測(cè)電路;在高開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)大功率密度且高能率,非常適合小尺寸應(yīng)用。
六個(gè)相位可分配至三個(gè)輸出(兩個(gè) SVID 軌和一個(gè)輔助軌)。 SVID1 軌的最大相位數(shù)為 2 至 6,而 SVID2 和 BUCK3 軌可運(yùn)行單相和雙相配置。 此外,該器件包含集成的LDO或電源門旁路設(shè)置選項(xiàng)。
PMIC 采用瑞薩電子R3調(diào)制技術(shù),與傳統(tǒng)調(diào)制方案相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)以及動(dòng)態(tài)可變開關(guān)頻率可以有效減少輸出端所需電容。在負(fù)載電流下降時(shí),控制器自動(dòng)調(diào)控相位增減及連續(xù)-斷續(xù)導(dǎo)通模式轉(zhuǎn)換,并可延長(zhǎng)斷續(xù)導(dǎo)通開關(guān)周期,大幅提高輕載效率,延長(zhǎng)待機(jī)時(shí)間。
深圳市明佳達(dá)電子供求 瑞薩 RAA225019ERGBM 高度可配置的 PMIC - 適用于 Intel IMVP9.2 Lunar Lake 應(yīng)用
制造商 | RENESAS |
型號(hào) | RAA225019ERGBM |
封裝 | BGA |
特點(diǎn):
輸入電壓范圍:2.7V 至 4.5V
集成 FET 和電流檢測(cè),適用于小體積高功效的產(chǎn)品設(shè)計(jì)
6 個(gè)相位可配置在 3 個(gè)輸出上 — 2 個(gè) SVID 軌和 1 個(gè)輔助軌
帶有電源柵極旁路選項(xiàng)的集成 LDO
多軌獨(dú)立控制,開關(guān)頻率可達(dá)2Mhz,以支持Intel移動(dòng)終端上全片式電容及片式電感的解決方案
支持快速 V 模式 (FVM) 運(yùn)行的逐周期電流限制功能
根據(jù)負(fù)載電流大小自動(dòng)相位增加和減少而得到更優(yōu)化的效率
可通過 SVID 與 I2C 總線進(jìn)行輸出電流、溫度等系統(tǒng)參數(shù)監(jiān)控
應(yīng)用:
適合intel mobile 平臺(tái)的低功率移動(dòng)設(shè)備