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Microchip推出廣泛的IGBT 7 功率器件組合, 專為可持續(xù)發(fā)展、電動出行和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用而優(yōu)化設(shè)計(jì)

為滿足電力電子系統(tǒng)對更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增長的需求,功率元件正在不斷發(fā)展。為了向系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供廣泛的電源解決方案,Microchip Technology(微芯科技公司)今日宣布推出采用不同封裝、支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及電流和電壓范圍的IGBT 7器件組合。

這一新產(chǎn)品組合具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的器件尺寸,旨在滿足可持續(xù)發(fā)展、電動汽車和數(shù)據(jù)中心等高增長細(xì)分市場的需求。高性能IGBT 7器件是太陽能逆變器、氫能生態(tài)系統(tǒng)、商用車和農(nóng)用車以及更多電動飛機(jī)(MEA)中電源應(yīng)用的關(guān)鍵構(gòu)件。

設(shè)計(jì)人員可根據(jù)自己的要求選擇合適的功率器件解決方案。IGBT 7器件采用標(biāo)準(zhǔn)D3和D4 62毫米封裝,以及SP6C、SP1F和SP6LI封裝。該產(chǎn)品組合可在以下拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供多種配置:三電平中性點(diǎn)鉗位(NPC)、三相橋、升壓斬波器、降壓斬波器、雙共源、全橋、相腿、單開關(guān)和T型。支持電壓范圍為1200V至1700V,電流范圍為50A至900A。

Microchip負(fù)責(zé)分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)的副總裁 Leon Gross 表示:“多功能 IGBT 7系列產(chǎn)品是易用性和成本效益與更高功率密度和可靠性的完美結(jié)合,為我們的客戶提供了最大的靈活性。這些產(chǎn)品專為通用工業(yè)應(yīng)用以及專業(yè)航空航天和國防應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此外,我們的電源解決方案還可與Microchip廣泛的FPGA、單片機(jī)(MCU)、微處理器(MPU)、dsPIC® 數(shù)字信號控制器 (DSC)和模擬器件集成,能夠?qū)崿F(xiàn)由一家供應(yīng)商提供全面的系統(tǒng)解決方案。”

更低的導(dǎo)通IGBT電壓 (Vce)、改進(jìn)的反并聯(lián)二極管(Vf更低)和更高的電流能力可實(shí)現(xiàn)更低的功率損耗、更高的功率密度和更高的系統(tǒng)效率。低電感封裝加上Tvj -175°C時(shí)更高的過載能力,使這些器件成為以較低系統(tǒng)成本創(chuàng)建堅(jiān)固耐用、高可靠性航空和防務(wù)應(yīng)用(如推進(jìn)、驅(qū)動和配電)的絕佳選擇。

對于需要增強(qiáng) dv/dt 可控性的電機(jī)控制應(yīng)用,IGBT 7 器件經(jīng)過設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高效、平滑和優(yōu)化的開關(guān)驅(qū)動,從而使電機(jī)平滑轉(zhuǎn)動。這些高性能器件還旨在提高系統(tǒng)可靠性、降低EMI和減少電壓尖峰。 

Microchip提供廣泛的電源管理解決方案組合,包括模擬器件、硅(Si)和碳化硅(SiC)電源技術(shù)、dsPIC® 數(shù)字信號控制器 (DCS)以及標(biāo)準(zhǔn)、改進(jìn)和定制電源模塊。

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點(diǎn)擊數(shù):0 | 更新時(shí)間:2024-11-15 11:21:22
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