近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“太紫微公司”）自主設(shè)計(jì)的T150 A光刻膠產(chǎn)品，經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的量產(chǎn)驗(yàn)證，成功通過(guò)了量產(chǎn)驗(yàn)證測(cè)試（MVT）。

光刻膠是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵材料，其研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜且嚴(yán)格。光刻膠是指經(jīng)過(guò)紫外光、深紫外光、電子束、離子束、X射線等光照或輻射后，溶解度發(fā)生變化的耐蝕刻薄膜材料，主要應(yīng)用于積體電路和分立器件的細(xì)微圖形加工。

光刻工藝流程包括前處理、涂膠、軟烘烤、對(duì)準(zhǔn)曝光、PEB（Post Exposure Bake）、顯影、硬烘烤和檢驗(yàn)等八個(gè)環(huán)節(jié)。在這些環(huán)節(jié)中，光刻膠的性能直接影響到集成電路芯片的質(zhì)量和性能。

光刻膠通常使用在紫外光波段或更小的波長(zhǎng)(小于400納米)進(jìn)行曝光。根據(jù)使用的不同波長(zhǎng)的曝光光源，如KrF（248nm），ArF（193nm）和EUV（13.5nm），相應(yīng)的光刻膠組分也會(huì)有一定的變化。

據(jù)悉，T150 A光刻膠產(chǎn)品對(duì)標(biāo)國(guó)際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國(guó)外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅(jiān)膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對(duì)后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過(guò)驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過(guò)刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。

援引業(yè)內(nèi)人士稱，T150 A對(duì)標(biāo)UV1610產(chǎn)品，UV1610產(chǎn)品在市場(chǎng)上的使用情況和生產(chǎn)情況表明其是一種“很常用的膠”，門檻不算高，但由于常用所以需求量會(huì)比較大。從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)情況來(lái)看，UV1610產(chǎn)品已經(jīng)被多家國(guó)內(nèi)廠商如北京科華和徐州博康等有能力生產(chǎn)，意味著實(shí)際留給其他廠商的市場(chǎng)空間并不多。

據(jù)上述人士稱，目前北京科華直接代理了UV1610的原廠，主要為原廠提供代工，其他廠商“玩不了”。而徐州博康主打配方和生產(chǎn)“全國(guó)產(chǎn)”，有能力做UV1610，不過(guò)目前重心更多放在BARC（底部抗反射涂層）產(chǎn)品上。進(jìn)一步指出，太紫微光稱其產(chǎn)品已通過(guò)半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)配方全自主設(shè)計(jì)，但最終成效還是要看市場(chǎng)與客戶的反饋。據(jù)介紹，光刻膠產(chǎn)品在客戶端驗(yàn)證周期通常需要2年。

據(jù)了解，我國(guó)半導(dǎo)體光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率水平存在一定的差異，g/I線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率約為20%；KrF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率在30%-40%之間，但也有證據(jù)顯示其國(guó)產(chǎn)化率不足5%；ArF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率極低，不足1%。

盡管高端光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率較低，但國(guó)內(nèi)廠商正在加速研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

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