ISSI 的閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導(dǎo)向應(yīng)用。

ISSI 的 IS34ML 和 IS34MW 系列 NAND產(chǎn)品為嵌入式市場(chǎng)補(bǔ)充了串行和并行NOR產(chǎn)品。ML (3.0 V) 系列和 MW (1.8 V) 系列 SLC NAND器件的密度分別為1Gb、2Gb和4Gb。

SLC NAND閃存器件非常適合需要高可靠性的性能導(dǎo)向應(yīng)用。SLC 每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ) 1 位數(shù)據(jù)，并提供快速讀寫(xiě)功能。這些產(chǎn)品適用于要求 1 位或 4 位 ECC 算法的系統(tǒng)，并提供 100 K 周期的耐久性和 10 年的保留期。

產(chǎn)品：IS34ML04G168-BLI

類(lèi)型:：NAND Flash

封裝/箱體:：VFBGA-63

存儲(chǔ)容量:：4 Gbit

接口類(lèi)型:：Parallel

組織:：512 M x 8/256 M x 16

定時(shí)類(lèi)型:：Asynchronous

數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:：8 bit, 16 bit

電源電壓:：2.7 V 至 3.6 V

電源電流—最大值:：30 mA

工作溫度:：- 40°C 至 + 85°C

有源讀取電流（最大值）:：30 mA

特性：

供電電壓：

VCC: 2.7 V 至 3.6 V（IS34ML 系列）

VCC: 1.7 V 至 1.95 V（IS34MW 系列）

靈活的 x8 或 x16 選擇

均勻的高性?xún)r(jià)比塊

塊擦除時(shí)間：3 ms（典型值）

自動(dòng)讀操作

硬件數(shù)據(jù)保護(hù)

100 K 編程/擦除周期

數(shù)據(jù)保持時(shí)間：10 年

支持每 512 字節(jié) 1 位或 4 位 ECC

工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 +85°C

擴(kuò)展溫度范圍：-40°C 至 105°C

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝：48 引腳 TSOP 和 63 引腳 (9 mm x 11 mm BGA)

相關(guān)產(chǎn)品：

IS34ML04G088-TLI

IS34ML04G088-BLI

IS34ML04G168-BLI

應(yīng)用：

汽車(chē)信息娛樂(lè)

儀表組

ADAS

工業(yè)儀表

工業(yè)傳感器

M2M

POS 終端

智能計(jì)量

游戲機(jī)

打印機(jī)

數(shù)碼相機(jī)

數(shù)字電視

機(jī)頂盒

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