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傳臺(tái)積電9月底前低價(jià)引進(jìn)High-NA EUV設(shè)備,價(jià)格遠(yuǎn)低于3.5億歐元

 9月10日消息,臺(tái)積電計(jì)劃在2024年9月底前引進(jìn)其首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外(High-NA EUV)光刻機(jī)。

光刻機(jī)是芯片制造過程中的核心設(shè)備。今年4月,ASML發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設(shè)備Twinscan NXE:3800E,該工具投影透鏡擁有0.33的數(shù)值孔徑,旨在滿足未來幾年對(duì)于尖端技術(shù)芯片的制造需求,包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點(diǎn)。ASML還計(jì)劃進(jìn)一步推出另一代低數(shù)值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F,預(yù)計(jì)將于2026年左右發(fā)布。不過,此前消息稱,ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV(High-NA EUV)設(shè)備訂單由英特爾全部包攬。因高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能較低,臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手需要等到2025下半年后才能獲得設(shè)備。

 

2023年12月,ASML就向英特爾開始交付全球首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的首批模塊,并已于今年4月18日完成組裝。

 

今年8月,英特爾又宣布,全球第二臺(tái)ASML研發(fā)的High NA(高數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī)即將進(jìn)入其位于美國(guó)奧勒岡州的晶圓廠。這款設(shè)備的價(jià)值高達(dá)3.5億歐元(約27.47億人民幣),將有助于生產(chǎn)更先進(jìn)的、性能更強(qiáng)的芯片,甚至有可能達(dá)到1nm級(jí)、埃米級(jí)芯片的水平。

 

對(duì)于新的光刻設(shè)備,臺(tái)積電曾宣稱可利用現(xiàn)有光刻設(shè)備就可以生產(chǎn)2納米芯片,但隨后不久又改稱將采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī),意味著其終究無法通過技術(shù)創(chuàng)新,突破下一代芯片工藝。 

 

值得一提的是,臺(tái)積電此次購(gòu)入價(jià)格可能遠(yuǎn)低于原定的3.5億歐元的單臺(tái)報(bào)價(jià)。ASML同意以折扣價(jià)向臺(tái)積電出售High-NA EUV設(shè)備的原因主要是因?yàn)榕_(tái)積電是其超級(jí)VIP客戶,ASML給予了很大的讓步。這一讓步包括全力協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)機(jī)、調(diào)校與技術(shù)支援等,以加速上線時(shí)間點(diǎn)。此外,臺(tái)積電的態(tài)度也發(fā)生了戲劇性的轉(zhuǎn)變,由原先對(duì)新款High NA EUV光刻機(jī)價(jià)格的猶豫,轉(zhuǎn)為積極尋求合作。

 

引進(jìn)High-NA EUV設(shè)備后,臺(tái)積電的生產(chǎn)能力和成本效率將進(jìn)一步得到強(qiáng)化,也將使其在晶圓代工領(lǐng)域繼續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),并進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的地位。

文章來源:電子工程專輯

 

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