概述

意法半導體STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護功能和100%雪崩。該MOSFET還具有超低柵極電荷、±30V柵極-源極電壓、83W總功耗、全球RDS(ON) x 面積以及全球品質因數(shù)（ FOM）。該MOSFET的工作結溫范圍為-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封裝。典型應用包括反激式轉換器、LED照明以及平板電腦和筆記本電腦。

特性

超低柵極電荷

全球RDS(ON) x 面積

全球品質因數(shù)（FOM）

±30V柵極-源極電壓

總功率耗散：83W

應用

反激式轉換器

LED照明

平板電腦和筆記本電腦適配器

詳細參數(shù)

STD80N450K6：

產品種類：MOSFET

RoHS： 詳細信息

技術：Si

安裝風格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：800 V

Id-連續(xù)漏極電流：10 A

Rds On-漏源導通電阻：450 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 30 V, + 30 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V

Qg-柵極電荷：17.3 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 150°C

Pd-功率耗散：83 W

通道模式：Enhancement

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

商標：STMicroelectronics

配置：Single

下降時間：12.7 ns

產品類型：MOSFETs

上升時間：4 ns

工廠包裝數(shù)量：2500

子類別：Transistors

典型關閉延遲時間：28.8 ns

典型接通延遲時間：10.6 ns