明佳達(dá)供應(yīng)原裝STD20NF06LAG - 汽車級(jí)N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封裝

介紹：

STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開發(fā)的，該工藝專門設(shè)計(jì)用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級(jí)高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)，適合電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用，以及具有低柵極電荷驅(qū)動(dòng)要求的應(yīng)用。

詳細(xì)參數(shù)

STD20NF06LAG：

制造商：STMicroelectronics

產(chǎn)品種類：MOSFET

技術(shù)：Si

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

封裝 / 箱體：DPAK-3 (TO-252-3)

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：60 V

Id-連續(xù)漏極電流：24 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：40 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5 V

Qg-柵極電荷：13 nC

最小工作溫度：- 55°C

最大工作溫度：+ 175°C

Pd-功率耗散：60 W

通道模式：Enhancement

資格：AEC-Q101

商標(biāo)名：STripFET

系列：STD20NF06LAG

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

封裝：MouseReel

配置：Single

下降時(shí)間：12 ns

產(chǎn)品類型：MOSFETs

上升時(shí)間：50 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：20 ns

典型接通延遲時(shí)間：11 ns

單位重量：360 mg