供應_面向LTE和脈沖雷達應用的 CGHV27060MP GaN HEMT – 氮化鎵晶體管，明佳達自營庫存，保證全新原裝！

概述

CGHV27060MP是一款60 W氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT ),采用小型封裝；塑料SMT封裝4.4毫米x 6.5毫米。晶體管是一種寬帶器件，沒有內(nèi)部輸入或輸出匹配；這使得靈活性適用于從UHF到2.7 GHz的廣泛頻率范圍。

CGHV27060MP是超高頻脈沖應用的優(yōu)秀晶體管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；該晶體管非常適合于A/B類等高效拓撲中平均功率為10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。數(shù)據(jù)手冊中描述的CGHV27060MP典型性能源自2.5至2.7 GHz的A/B類參考設計。

CGHV27060MP規(guī)格

技術：HEMT

頻率：2.7GHz

增益：16.5dB

電壓 - 測試：50 V

額定電流（安培）：6.3A

噪聲系數(shù)：-

電流 - 測試：125 mA

功率 - 輸出：80W

電壓 - 額定：150 V

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）

供應商器件封裝：20-TSSOP

特性

從超高頻到2.7GHz

脈沖PSAT下16.5 dB增益

脈沖PSAT下的效率為70%

脈沖PSAT時為85 W

線性PAVE = 14 W時的18 dB增益

線性鋪設= 14 W時-35 dBc ACLR

線性鋪設時效率為33% = 14w

可以應用高度DPD校正