產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Qorvo QPD2060D 600µm  分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，8的輸出功率為2dBm（P1dB時(shí)），增益為12dB，功率附加效率為55%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，QPD2060D適合用于高效率應(yīng)用。

QPD2060D設(shè)計(jì)采用0.25µm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過(guò)先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。

QPD2060D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護(hù)層，可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護(hù)。

產(chǎn)品特征

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：28dBm（典型值）

增益：12dB（12GHz時(shí)典型值）

PAE：55%（12GHz時(shí)典型值）

噪聲系數(shù)：1.4dB（12GHz時(shí)典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：97mA

0.25µm GaAs pHEMT技術(shù)

裸片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm

無(wú)鹵、無(wú)鉛、符合RoHS指令

產(chǎn)品應(yīng)用

• 通信

• 雷達(dá)

• 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電

• 衛(wèi)星通信