一場突如其來的專利紛爭將臺積電推向了風口浪尖。8月1日，一家總部位于美國的Advanced Integrated Circuit Process LLC（簡稱AICP）公司在美國德州東區(qū)地方法院正式對臺積電發(fā)起專利侵權訴訟，指控其侵犯了七項與集成電路緊密相關的專利。這一舉動不僅引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注，也再次凸顯了半導體行業(yè)知識產(chǎn)權保護的復雜性與重要性。
專利訴訟詳情
AICP在訴訟中指出，臺積電的28nm工藝產(chǎn)品，包括為飛思卡爾（現(xiàn)為恩智浦）、聯(lián)發(fā)科等公司生產(chǎn)的芯片，以及使用FinFET技術的5、7、10、16nm節(jié)點工藝產(chǎn)品，如蘋果A15 Bionic半導體器件，均侵犯了其專利。
AICP特別強調(diào)了臺積電在2022年通過銷售、工程和技術營銷團隊推廣其侵權技術，誘導客戶從舊節(jié)點轉向涉嫌侵權的28nm節(jié)點行為，并引用了當時一篇"臺積電致函客戶：是時候停止使用舊節(jié)點并轉向28納米了 "的新聞報道作為證據(jù)。此外，在臺積電2022年分析師電話會議上，臺積電首席執(zhí)行官曾表示28納米節(jié)點是臺積電的 "甜蜜點"。
因臺積電提供的制造服務和設計是侵權產(chǎn)品的重要組成部分，AICP也認為構成了貢獻侵權。
AICP指出，臺積電自2012年起便知曉相關專利，并在后續(xù)專利申請過程中跟蹤這些專利，盡管知道侵權情況，仍故意繼續(xù)侵權。
專利來源于日本？
值得注意的是，AICP所使用的七項專利原本歸屬于日本松下電器，后由松下半導體公司轉移至NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN。這些專利在今年3月才完成轉移，疑似為此次訴訟做準備。
新唐科技（NUVOTON）公司隸屬于華邦電子公司集團（Winbond），這使得這場訴訟更像是兩家中國臺灣半導體公司之間的專利糾紛。
根據(jù)NUVOTON公司的官網(wǎng)顯示，其最早的技術源頭就是松下電器的半導體事業(yè)部門。 2020年9月1日，松下電器發(fā)布公告，經(jīng)過監(jiān)管批準，其已經(jīng)完成了將半導體業(yè)務轉讓給NUVOTON公司的交易。
臺積電技術介紹
臺積電作為全球領先的半導體制造公司，一直以其強大的內(nèi)部研發(fā)能力而自豪。以下是在專利訴訟中提到的幾項臺積電技術：
28nm技術：2011年，臺積電成為首家提供28nm通用工藝技術的代工廠。該技術以其高性能、低功耗和較小的芯片尺寸而聞名，廣泛應用于智能手機、平板電腦和其他消費電子產(chǎn)品中。
• 28HPM（High Performance Mobile）：針對移動應用優(yōu)化，提供高性能和低功耗特性。
• 28HPC+（High Performance Computing Plus）：專為高性能計算應用設計，優(yōu)化了速度和功耗效率。
• 28LP（Low Power）：針對低功耗應用，如物聯(lián)網(wǎng)設備，提供了出色的功耗表現(xiàn)。
FinFET技術：臺積電的FinFET技術是其先進工藝的核心，包括5nm、7nm、16nm/12nm等不同節(jié)點。FinFET（Fin Field-Effect Transistor）技術通過三維鰭狀結構取代了傳統(tǒng)的平面柵極，提高了性能和能效，降低了漏電流，同時允許更高的晶體管密度和性能提升。
5nm技術：2020年，臺積電啟動了5nm FinFET技術的量產(chǎn)，為全球客戶提供了創(chuàng)新解決方案。5nm技術以其更高的晶體管密度和更低的功耗，支持了高性能計算和移動設備的發(fā)展。
3nm技術：2022年，臺積電推出了3nm FinFET技術，標志著半導體技術的又一次飛躍。3nm工藝在性能、功耗和面積上相較于5nm技術有顯著提升。
結語
AICP請求法院判決臺積電直接或間接侵犯其專利，并要求賠償利潤損失和合理的專利許可費，同時指出臺積電的惡意侵權行為應支付三倍賠償。從AICP起訴的策略可以看出，此次訴訟用六件專利指向了臺積電28nm工藝，應該是此次維權的主力軍。另有一件專利US8,796,779指向了臺積電使用的FinFET技術的5、7、10和16納米工藝，可以認為是策應。
案件目前處于初期階段，雙方的法律較量將持續(xù)一段時間。
臺積電作為全球半導體制造的領頭羊，其技術一直受到業(yè)界的高度認可。然而，此次專利侵權訴訟無疑給臺積電帶來了一定的法律風險和市場壓力。AICP要求法院判決臺積電侵犯專利，并索賠損失。案件的最終結果將對全球半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生深遠影響。
文章來源：電子工程專輯
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