產(chǎn)品說(shuō)明

LMG3522R050RQSR GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

LMG3522R050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 15V/ns 至 150V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。

特性

• 具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 650V GaN-on-Si FET

– 集成高精度柵極偏置電壓

– 200V/ns FET 釋抑

– 3.63.6MHz 開(kāi)關(guān)頻率

– 15-V/ns 至 150V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和緩解 EMI

– 在 7.5V 至 18V 電源下工作

• 強(qiáng)大的保護(hù)

– 響應(yīng)時(shí)間少于 100ns 的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)

– 硬開(kāi)關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌

– 針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)

• 高級(jí)電源管理

– 數(shù)字溫度 PWM 輸出

• 頂部冷卻 12mm × 12mm VQFN 封裝將電氣路徑和散熱路徑分開(kāi)，可實(shí)現(xiàn)更低的電源環(huán)路電感

應(yīng)用

• 開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器

• 商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器 PSU

• 商用通信電源整流器

• 光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• 不間斷電源

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