明佳達(dá)電子供求TI LMG3526R050RQSR 650V 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 GaN FET

概述

LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開(kāi)關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁┏〉恼疋徍透蓛舻拈_(kāi)關(guān)?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在15V/ns至150V/ns之間。這可用于主動(dòng)控制EMI并優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。

特性

帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的650V硅上氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)

集成高精度柵極偏置電壓

200V/ns FET釋抑

3.6MHz開(kāi)關(guān)頻率

15V/ns到150V/ns轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能和緩解EMI

在7.5V至18V電源下工作

高級(jí)電源管理

數(shù)字溫度PWM輸出

有助于實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測(cè)功能

強(qiáng)大的保護(hù)功能

響應(yīng)時(shí)間少于100ns的逐周期過(guò)流和鎖存短路保護(hù)

硬開(kāi)關(guān)時(shí)可承受720 V浪涌

針對(duì)內(nèi)部過(guò)熱和UVLO監(jiān)控的自我保護(hù)

頂部冷卻12mm ×12mm VQFN封裝將電氣路徑和熱路徑分開(kāi)，以實(shí)現(xiàn)最低的功率環(huán)路電感

應(yīng)用

• 開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器

• 商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU

• 商用電信用整流器

• 太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• 不間斷電源

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