明佳達電子供應及回收IGBT模塊FS03MR12A6MA1LBBPSA1、FS03MR12A6MA1LB MOSFET - 陣列 6 N-溝道

 

制造商：Infineon Technologies

制造商產(chǎn)品型號：FS03MR12A6MA1LBBPSA1、FS03MR12A6MA1LB

年份：最新21+

詳細描述：MOSFET - 陣列 6 N-溝道（3 相橋） 1200V（1.2kV） 400A 20mW 底座安裝 AG-HYBRIDD-2

 

屬性

FET 類型：6 N-溝道（3 相橋）

FET 功能：碳化硅（SiC）

漏源電壓（Vdss）：1200V（1.2kV）

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：400A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.7 毫歐 @ 400A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.55V @ 240mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：1320nC @ 15V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：42.6nF @ 600V

功率 - 最大值：20mW

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：AG-HYBRIDD-2

 

潛在應用

汽車應用

混合動力電動汽車 (H)EV

電機驅動

商用農(nóng)用車

主逆變器

 

誠信回收一系列模組如：5G、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、車規(guī)級、基站、通信、人工智能、射頻、家電、晶閘管、醫(yī)療、工業(yè)、藍牙5.0、以太網(wǎng)、傳感器、光模塊、DC/DC、WiFi、LPWA、GNSS、IGBT等一系列。

 

回收要求：公司只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源.

 

公司首頁：www.hkmjd.com