明佳達(dá)供應(yīng)和回收氮化鎵功率芯片NV6128、NV6127、NV6123、NV6125，其采用QFN6*8mm封裝，在使用電流檢測(cè)電阻時(shí)仍能得到增強(qiáng)的散熱。

 

產(chǎn)品型號(hào)：NV6128、NV6127、NV6123、NV6125

年份：最新21+

封裝：QFN

 

NV6128內(nèi)部整合集成柵極驅(qū)動(dòng)器，支持10-30V供電，且導(dǎo)通壓擺率可編程。具有開(kāi)爾文源極，有效降低寄生參數(shù)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的影響。NV6128導(dǎo)阻為70mΩ，在納微的氮化鎵功率芯片中最低。芯片額定工作電壓為650V，峰值耐壓800V，在系統(tǒng)中的可靠性更高，支持2MHz高開(kāi)關(guān)頻率。

 

NV6127采用QFN6*8mm封裝，散熱性能升級(jí)，125mΩ導(dǎo)阻，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器支持10-30V供電。最高支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率。

 

NV6123這顆芯片是NV6113的散熱增強(qiáng)版，為高頻率和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋬?yōu)化，內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)器，導(dǎo)阻300mΩ，6*8mm QFN封裝。

 

NV6125氮化鎵功率芯片，內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需外置驅(qū)動(dòng)器，175mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用散熱增強(qiáng)的QFN6*8mm封裝，適用于升壓，降壓，半橋，全橋開(kāi)關(guān)電源等諸多應(yīng)用場(chǎng)合。

 

特征

GaNFast™ 電源 IC

• 大冷卻墊

• 使用 CS 電阻時(shí)增強(qiáng)散熱

• 單片集成柵極驅(qū)動(dòng)器

• 寬 VCC 范圍（10 至 30 V）

• 可編程開(kāi)啟 dV/dt

• 200 V/ns dV/dt 抗擾度

• 800 V 瞬態(tài)電壓額定值

• 650 V 連續(xù)額定電壓

• 低 125 mΩ 電阻

• 零反向恢復(fù)電荷

• ESD 保護(hù) – 1 kV (HBM)、1 kV (CDM)

• 2 MHz 操作

小型、薄型 SMT QFN

• 6 x 8 mm 占用空間，0.85 mm 輪廓

• 最小化封裝電感

可持續(xù)性

• RoHS、無(wú)鉛、符合 REACH 標(biāo)準(zhǔn)

• 與硅解決方案相比，節(jié)能高達(dá) 40%

• 系統(tǒng)級(jí) 4kg CO2 碳足跡減少

 

拓?fù)?應(yīng)用

• AC-DC、DC-DC、DC-AC

• QR 反激、PFC、AHB、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類

• 無(wú)線電源、太陽(yáng)能微型逆變器、LED 照明、TV SMPS、服務(wù)器、電信

 

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