明佳達(dá)公司供求英飛凌1200V 溝槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1）全新原裝 工廠庫(kù)存 價(jià)格優(yōu)勢(shì) 歡迎咨詢qq1668527835

英飛凌推出的、采用TO247-4封裝的SiC MOSFET 可降低柵極電路上的源極寄生電感效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的效率。

供應(yīng)型號(hào)：IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1

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描述：采用TO247-4封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。

規(guī)格

FET 類型 N 通道

技術(shù) SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss） 1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 225A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 9.9 毫歐 @ 108A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 5.2V @ 47mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 220 nC @ 18 V

Vgs（最大值） +20V，-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 9170 nF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 750W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-3

封裝/外殼 TO-247-3

應(yīng)用領(lǐng)域

電池化成

電動(dòng)汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

電源

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

公司回收電子呆料庫(kù)存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源ic、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲(chǔ)器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級(jí)管等產(chǎn)品。

長(zhǎng)期高價(jià)收購(gòu)英飛凌溝槽型碳化硅MOSFET（IMZA120R040M1H、IMZA120R040M1HXKSA1） 

回收具體流程：

1、您將積壓的IC/模組庫(kù)存進(jìn)行簡(jiǎn)單分類，確定型號(hào)、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等；

2、請(qǐng)將庫(kù)存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們?cè)u(píng)估團(tuán)隊(duì)；

3、等待公司專業(yè)人士的采購(gòu)報(bào)價(jià)，達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付；

4、只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。

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