明佳達供應(yīng)和回收1200V溝槽式 IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 碳化硅MOSFET 

說明：IMZ120R140M1H是采用TO247-4封裝的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先進的溝槽半導體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓撲以及DC-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

產(chǎn)品型號：IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1

品牌：英飛凌

批號：21+

描述：通孔 N 通道 1200 V 19A（Tc） 94W（Tc） PG-TO247-4-1

規(guī)格

FET 類型 N 通道  

技術(shù) SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 19A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 182 毫歐 @ 6A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 2.5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +23V，-7V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 454 pF @ 800 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 94W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-1  

封裝/外殼 TO-247-4 

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

太陽能系統(tǒng)解決方案

公司還收購碳化硅MOSFET  IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1，還回收電子呆料庫存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍牙IC、手機IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲器、繼電器、MOS管、單片機、二三級管等產(chǎn)品。

回收具體流程：

1、您將積壓的IC/模組庫存進行簡單分類，確定型號、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等；

2、請將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們評估團隊；

3、等待公司專業(yè)人士的采購報價，達成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進行交付；

4、只回收正規(guī)渠道貨源，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，不接受不是正規(guī)渠道貨源。

聯(lián)系我們：

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電話13410018555

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