明佳達(dá)供應(yīng)和回收晶體管 IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1 1200V 40mΩ CoolSiC™溝槽型碳化硅MOSFET

描述：采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢(shì)，例如1200 V開(kāi)關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒(méi)有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒(méi)有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常適用于硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

產(chǎn)品型號(hào)：IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1

品牌：Infineon

批號(hào)：21+

封裝：TO-247-3

特征描述

出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)

寬柵源電壓范圍

堅(jiān)固的低損耗體二極管，適用于硬開(kāi)關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴(kuò)散焊技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

優(yōu)勢(shì)

最高效率

減少冷卻工作

更高頻率的運(yùn)行

增加功率密度

降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動(dòng)汽車(chē)快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

長(zhǎng)期回收碳化硅MOSFET IMW120R040M1H/IMW120R040M1HXKSA1，只需原裝，翻新散新均不考慮，有原廠外包裝則優(yōu)先，有大量庫(kù)存需處理的請(qǐng)聯(lián)系我們！

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