明佳達供求碳化硅MOSFET IMBG120R090M1H、IMBG120R090M1HXTMA1 1200V 溝槽型

供應型號：IMBG120R090M1H/IMBG120R090M1HXTMA1

品牌：Infineon

年份：最新21+

封裝：TO-263-7

描述：IMBG120R090M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術相結合，可在電機驅動、充電模塊以及工業(yè)電源等應用中實現(xiàn)最高效率和被動制冷。

規(guī)格：

FET 類型 N 通道  

技術 SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss） 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 26A（Tc）  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 125 毫歐 @ 8.5A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5.7V @ 3.7mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 23 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +18V，-15V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 763 pF @ 800 V  

FET 功能 標準  

功率耗散（最大值） 136W（Tc）  

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型 表面貼裝型  

供應商器件封裝 PG-TO263-7-12  

封裝/外殼 TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA 

應用領域：

不間斷電源（UPS）

電動汽車快速充電

工業(yè)電機驅動和控制

太陽能系統(tǒng)解決方案

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