明佳達(dá)強(qiáng)勢推出SI3586 SI3586DV N 和 P 溝道 20V (DS) 金屬氧化物場效應(yīng)晶體管

型號(hào)：SI3586 SI3586DV

品牌：VISHAY

年份：12+

封裝：SOT563

特征

• 宏模型（子電路模型）

• 3 級(jí) MOS

• 同時(shí)申請線性和開關(guān)應(yīng)用

• 在−55 至 125°C 溫度范圍內(nèi)保持準(zhǔn)確

• 模擬柵極電荷、瞬態(tài)和二極管反向恢復(fù)

描述

附加的香料模型描述了典型的電氣n 溝道和 p 溝道垂直 DMOS 的特性。這次電路模型是提取和優(yōu)化超過這-55  - 125°C 的溫度范圍在脈沖 0-V 至 5-V 柵極下駕駛。飽和輸出阻抗最適合柵極偏置接近閾值電壓。一種新穎的柵漏反饋電容網(wǎng)絡(luò)用于建模柵極電荷特性，同時(shí)避免收斂困難切換 C gd模型。所有模型參數(shù)值都經(jīng)過優(yōu)化為測量的電氣數(shù)據(jù)提供最佳擬合，而不是旨在作為設(shè)備的精確物理解釋。

實(shí)單請致電咨詢陳先生：

qq：1668527835

電話：13410018555

郵箱：chen13410018555@163.com

公司首頁：www.hkmjd.com