STM32L431VCI6 的產(chǎn)品說明

STM32L431VCI6 器件是基于高性能 Arm® Cortex®-M4 32 位 RISC 內(nèi)核的超低功耗微控制器，工作頻率高達 80 MHz。Cortex-M4 內(nèi)核具有單精度浮點運算單元 (FPU)，支持所有 Arm® 單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實現(xiàn)了全套 DSP 指令和內(nèi)存保護單元 (MPU)，提高了應用的安全性。

 

STM32L431VCI6 器件嵌入了高速存儲器（閃存高達 256 Kbyte，SRAM 為 64 Kbyte）、Quad SPI 閃存接口（所有封裝均提供）以及連接到兩條 APB 總線、兩條 AHB 總線和一個 32 位多 AHB 總線矩陣的大量增強型 I/O 和外設(shè)。

 

STM32L431VCI6 器件為嵌入式閃存和 SRAM 嵌入了多種保護機制：讀出保護、寫保護、專有代碼讀出保護和防火墻。

 

STM32L431VCI6 器件提供一個快速 12 位 ADC（5 Msps）、兩個比較器、一個運算放大器、兩個 DAC 通道、一個內(nèi)部電壓基準緩沖器、一個低功耗 RTC、一個通用 32 位定時器、一個電機控制專用 16 位 PWM 定時器、四個通用 16 位定時器和兩個 16 位低功耗定時器。此外，它們還提供多達 21 個電容感應通道，并具有標準和高級通信接口。

 

STM32L431VCI6 采用 1.71 至 3.6 V 電源供電，工作溫度范圍為 -40 至 +85 °C（+105 °C 結(jié)點）、-40 至 +105 °C（+125 °C 結(jié)點）和 -40 至 +125 °C（+130 °C 結(jié)點）。全套省電模式允許設(shè)計低功耗應用。

 

 

STM32L431VCI6 的規(guī)格

內(nèi)核：ARM Cortex M4

程序存儲器大?。?56 kB

數(shù)據(jù)總線寬度：32 位

ADC 分辨率：12 位

最大時鐘頻率：80 MHz

I/O 數(shù)量：83 I/O

數(shù)據(jù) RAM 大小：64 kB

電源電壓 - 最低：1.71 V

電源電壓 - 最大值：3.6 V

最低工作溫度：- 40 C

最高工作溫度：+ 85 C

DAC 分辨率：12 位

數(shù)據(jù) RAM 類型：SRAM

高度：0.6 毫米

接口類型：CAN、I2C、LPUART、SAI、SPI、USART

長度：7 毫米

濕度敏感性：是

ADC 通道數(shù)：16 通道

計時器/計數(shù)器數(shù)量：11 個計時器

寬度：7 毫米

單位重量：64 毫克

 

STM32L431VCI6 的特性

通過 FlexPowerControl 實現(xiàn)超低功耗

1.71 V 至 3.6 V 電源

-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍

在 VBAT 模式下為 200 nA：為 RTC 和 32x32 位備份寄存器供電

8 nA 關(guān)機模式（5 個喚醒引腳）

28 nA 待機模式（5 個喚醒引腳）

280 nA 帶 RTC 的待機模式

1.0 μA 停止 2 模式，帶 RTC 的 1.28 μA

84 μA/MHz 運行模式

批量采集模式 (BAM)

從停止模式喚醒 4 μs

斷電復位 (BOR)

互連矩陣

內(nèi)核 Arm® 32 位 Cortex®-M4 CPU，帶 FPU、自適應實時加速器（ART Accelerator™），允許從閃存執(zhí)行 0 等待狀態(tài)，頻率高達 80 MHz，MPU、100DMIPS 和 DSP 指令

性能基準

1.25 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）

273.55 CoreMark®（3.42 CoreMark/MHz @ 80 MHz）

能耗基準

176.7 ULPBench® 分數(shù)

時鐘源

4 至 48 MHz 晶體振蕩器

用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器（LSE）

內(nèi)部 16 MHz 工廠微調(diào) RC（±1）

內(nèi)部低功耗 32 kHz RC（±5）

內(nèi)部多速 100 kHz 至 48 MHz 振蕩器，由 LSE 自動微調(diào)（精度優(yōu)于 ±0.25）

帶時鐘恢復功能的內(nèi)部 48 MHz

用于系統(tǒng)時鐘、音頻、ADC 的 2 個 PLL