11月11日，新能源汽車電機控制器是控制新能源汽車核心動力的大腦，而新能源汽車的核心動力系統(tǒng)是電機控制器上由硅原料加工制作而成的IGBT半導體功率器件。 但是由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面逐步逼近甚至已達到其材料的極限。以碳化硅為代表的半導體材料正以其卓越的性能吸引著廣大制造商，本文推薦基本半導體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H用于新能源汽車的電機控制器，該器件比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。
基本半導體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產，目前已掌握碳化硅芯片設計、晶圓制造、模塊封裝、驅動應用等核心技術，申請兩百余項發(fā)明專利，產品性能達到國際先進水平。 基本半導體B2M065120H具有更低的比導通電阻，通過綜合優(yōu)化芯片設計方案，比導通電阻降低約40%，產品性能顯著提升，且具有非常低的開關損耗，B2M065120H器件Qg降低了約60%，開關損耗降低了約30%，反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
B2M065120H性能參數：
• RDS (on)：65mΩ
• Voltage：1200V
• 最高工作結溫：175°C
• 封裝：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7
基本半導體汽車級碳化硅功率模塊產線已實現全面量產，目前年產能達25萬只模塊；車規(guī)級碳化硅芯片產線已通線，達產后每年可保障約50萬輛新能源汽車的相關芯片需求。
