9月10日消息，臺(tái)積電計(jì)劃在2024年9月底前引進(jìn)其首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻機(jī)。

光刻機(jī)是芯片制造過程中的核心設(shè)備。今年4月，ASML發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設(shè)備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數(shù)值孔徑，旨在滿足未來幾年對(duì)于尖端技術(shù)芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點(diǎn)。ASML還計(jì)劃進(jìn)一步推出另一代低數(shù)值孔徑(EUV)掃描儀Twinscan NXE:4000F，預(yù)計(jì)將于2026年左右發(fā)布。不過，此前消息稱，ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV（High-NA EUV）設(shè)備訂單由英特爾全部包攬。因高數(shù)值孔徑EUV設(shè)備產(chǎn)能較低，臺(tái)積電、三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手需要等到2025下半年后才能獲得設(shè)備。

2023年12月，ASML就向英特爾開始交付全球首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的首批模塊，并已于今年4月18日完成組裝。

今年8月，英特爾又宣布，全球第二臺(tái)ASML研發(fā)的High NA（高數(shù)值孔徑）EUV光刻機(jī)即將進(jìn)入其位于美國(guó)奧勒岡州的晶圓廠。這款設(shè)備的價(jià)值高達(dá)3.5億歐元（約27.47億人民幣），將有助于生產(chǎn)更先進(jìn)的、性能更強(qiáng)的芯片，甚至有可能達(dá)到1nm級(jí)、埃米級(jí)芯片的水平。

對(duì)于新的光刻設(shè)備，臺(tái)積電曾宣稱可利用現(xiàn)有光刻設(shè)備就可以生產(chǎn)2納米芯片，但隨后不久又改稱將采購(gòu)2納米EUV光刻機(jī)，意味著其終究無法通過技術(shù)創(chuàng)新，突破下一代芯片工藝。 

值得一提的是，臺(tái)積電此次購(gòu)入價(jià)格可能遠(yuǎn)低于原定的3.5億歐元的單臺(tái)報(bào)價(jià)。ASML同意以折扣價(jià)向臺(tái)積電出售High-NA EUV設(shè)備的原因主要是因?yàn)榕_(tái)積電是其超級(jí)VIP客戶，ASML給予了很大的讓步。這一讓步包括全力協(xié)助臺(tái)積電進(jìn)機(jī)、調(diào)校與技術(shù)支援等，以加速上線時(shí)間點(diǎn)。此外，臺(tái)積電的態(tài)度也發(fā)生了戲劇性的轉(zhuǎn)變，由原先對(duì)新款High NA EUV光刻機(jī)價(jià)格的猶豫，轉(zhuǎn)為積極尋求合作。

引進(jìn)High-NA EUV設(shè)備后，臺(tái)積電的生產(chǎn)能力和成本效率將進(jìn)一步得到強(qiáng)化，也將使其在晶圓代工領(lǐng)域繼續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，并進(jìn)一步鞏固其在全球半導(dǎo)體制造市場(chǎng)的地位。

文章來源：電子工程專輯

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