PM50RSD060

型號：PM50RSD060
品牌：MIT

批號：13+RoHS
封裝：IGBT模塊
原價：469
數(shù)量：54136
PDF電子文檔：

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詳細描述

PM50RSD060 - FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE - Mitsubishi Electric Semiconductor

FEATURE

a) Adopting new 4th generation planar IGBT chip, which performance is improved by 1µm fine rule process.

For example, typical VCE(sat)=1.7V

b) Using new Diode which is designed to get soft reverse

recovery characteristics.

c) Keeping the package compatibility.

The layout/position of both terminal pin and mounting hole

is same as S-series 3rd generation IPM.

•3φ 50A, 600V Current-sense IGBT for 15kHz switching

• 15A, 600V Current-sense regenerative brake IGBT

• Monolithic gate drive & protection logic

• Detection, protection & status indication circuits for overcurrent, short-circuit, over-temperature & under-voltage

(P-Fo available from upper leg devices)

• Acoustic noise-less 3.7kW class inverter application

• UL Recognized Yellow Card No.E80276(N)

**注意 & Noted:

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１．製品選択について
電子部品の種類が多すぎ、品番の接尾番號、封裝などの相違によって、製品の媒介変數(shù)、性能が間違うことになる。ですから、ご購入のものは間違いないために全品番（接尾番號も封裝も）をお教え下さい。

２．価格について
注文量、製品種類など相違のため、または市場の価格の調整で、同一の価格をここに明記しかねます。ですから、価格について、ぜひお問い合わせください。MJDはベスト製品、ベスト値段、ベストサービスをご提供します。ご連絡を期待しております。

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