不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)	520pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）	50 毫歐 @ 2.4A，10V
供應(yīng)商器件封裝	8-SO
功率 - 最大值	2W
包裝	剪切帶 （CT）
安裝類型	表面貼裝
封裝/外殼	8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
漏源極電壓 (Vdss)	30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）	4.9A
FET 功能	標(biāo)準(zhǔn)
FET 類型	2 個(gè) N 溝道（雙）

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【買家必讀】：電子元器件是專業(yè)型的產(chǎn)品，技術(shù)含量較高，本身可能存在多種品牌，後輟與封裝，可能導(dǎo)致參數(shù)與性能的差異，如有不慎，很有可能導(dǎo)致元器件購買錯(cuò)誤，為了更好的解決您的問題，所以請(qǐng)您務(wù)必在下單前，將產(chǎn)品的封裝、後綴告訴我們。以便我們能準(zhǔn)確迅速的為您查詢。

 

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