FET 類型	MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能	標準
漏源極電壓 (Vdss)	200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）	11A （Tc）
不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）	500 毫歐 @ 6.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)	44nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)	1200pF @ 25V
功率 - 最大值	3W
安裝類型	表面貼裝
封裝/外殼	TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝	D2PAK

 

 

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