深圳市明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IFS200B12N3E4B31 1200 V、200 A 六組 IGBT 模塊
描述:
MIPAQ™ base 1200 V、200 A 六封裝 IGBT 模塊,帶 TRENCHSTOP™ IGBT4、1.00 mΩ 電流檢測(cè)分流器、發(fā)射極受控二極管和 NTC。
電氣性能
• 開(kāi)關(guān)損耗低
•低VCEsat
•Tvjop=150°C
電氣特性
•低開(kāi)關(guān)損耗
•低VCEsat
•Tvjop=150°C
典型應(yīng)用
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
• 伺服驅(qū)動(dòng)器
IFS200B12N3E4B31——IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 1200 V 400 A 940 W 底座安裝 模塊
制造商
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Infineon Technologies
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系列
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MIPAQ™
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包裝
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托盤
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零件狀態(tài)
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在售
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IGBT 類型
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溝槽型場(chǎng)截止
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配置
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全橋
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電壓 - 集射極擊穿(最大值)
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1200 V
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電流 - 集電極 (Ic)(最大值)
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400 A
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功率 - 最大值
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940 W
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不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)
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2.1V @ 15V,200A
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電流 - 集電極截止(最大值)
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1 mA
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不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)
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14 nF @ 25 V
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輸入
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標(biāo)準(zhǔn)
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NTC 熱敏電阻
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是
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工作溫度
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-40°C ~ 150°C
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安裝類型
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底座安裝
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封裝/外殼
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模塊
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供應(yīng)商器件封裝
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模塊
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有意者,請(qǐng)來(lái)電聯(lián)系陳先生:
QQ:1668527835
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