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英飛凌 IGBT IFS200B12N3E4B31 1200 V、200 A 六組 IGBT 模塊

深圳市明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IFS200B12N3E4B31 1200 V、200 A 六組 IGBT 模塊

描述:

MIPAQ™ base 1200 V、200 A 六封裝 IGBT 模塊,帶 TRENCHSTOP™ IGBT4、1.00 mΩ 電流檢測(cè)分流器、發(fā)射極受控二極管和 NTC。

電氣性能

• 開(kāi)關(guān)損耗低 

•低VCEsat 

•Tvjop=150°C

電氣特性

•低開(kāi)關(guān)損耗

•低VCEsat

•Tvjop=150°C

典型應(yīng)用

• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

• 伺服驅(qū)動(dòng)器

IFS200B12N3E4B31——IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 1200 V 400 A 940 W 底座安裝 模塊

制造商
Infineon Technologies
 
系列
MIPAQ™
 
包裝
托盤
 
零件狀態(tài)
在售
 
IGBT 類型
溝槽型場(chǎng)截止
 
配置
全橋
 
電壓 - 集射極擊穿(最大值)
1200 V
 
電流 - 集電極 (Ic)(最大值)
400 A
 
功率 - 最大值
940 W
 
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,200A
 
電流 - 集電極截止(最大值)
1 mA
 
不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)
14 nF @ 25 V
 
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
 
NTC 熱敏電阻
 
工作溫度
-40°C ~ 150°C
 
安裝類型
底座安裝
 
封裝/外殼
模塊
 
供應(yīng)商器件封裝
模塊

有意者,請(qǐng)來(lái)電聯(lián)系陳先生:

QQ:1668527835

電話:13410018555

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