MOSFET是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（利用電場(chǎng)控制電流），由金屬氧化物半導(dǎo)體制成，是目前使用最廣泛的生產(chǎn)技術(shù)。在功率MOSFET領(lǐng)域，碳化硅（SiC）也被使用，因?yàn)樗请娫?、逆變器和其他?yīng)用所需的更高性能和效率的理想選擇。

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回收 TOSHIBA MOSFET產(chǎn)品：

12V - 300V MOSFET

穩(wěn)定地降低其低壓功率MOSFET的漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

400V-900V MOSFET

超結(jié)MOSFET系列用于高輸出電源應(yīng)用，并提供D-MOS（雙擴(kuò)散）MOSFET系列用于低輸出電源應(yīng)用。

車載MOSFET

使用于各種車載應(yīng)用的功率MOSFET，包括12V電池和電機(jī)控制系統(tǒng)。

MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC

一種非常小的N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)IC，內(nèi)置保護(hù)電路。利用外部N溝道MOSFET，可以設(shè)計(jì)出小型、低損耗的理想電源電路。

SiC MOSFET

1200V SiC MOSFET具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性，非常適合大功率，高效率的工業(yè)電源，低損耗的太陽能逆變器和UPS。

SiC MOSFET模塊

SiC MOSFET模塊具有高速開關(guān)性能，并使用SiC（碳化硅），這是一種針對(duì)低損耗和小型化應(yīng)用設(shè)計(jì)的新型材料，適用于工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器，例如電力鐵路的逆變器和光伏逆變器。

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