12月9日消息，根據(jù)韓國媒體報道，三星電子在其半導體研究所中已經(jīng)成功完成了其突破性400層堆棧NAND Flash閃存技術的開發(fā)。

三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的ISSCC（國際固態(tài)電路會議）2025上發(fā)布其1Tb容量400層TLC NAND，其量產(chǎn)預計將于2025年下半年開始，但業(yè)界預測，如果加快進程，生產(chǎn)可能會在第二季度末開始。

三星于11月開始將這項先進技術轉移到平澤P1廠的量產(chǎn)線上。這一成績意味著三星將處于NAND Flash閃存技術的領先地位，領先于主要競爭對手SK海力士量產(chǎn)的321層堆棧NAND Flash閃存。

據(jù)悉，三星的400層NAND采用了VCT（垂直通道晶體管）結構，這一創(chuàng)新可以減少內(nèi)存單元之間的干擾，并更高效地提升內(nèi)存容量。這種結構有助于提高數(shù)據(jù)傳輸速度和整體性能。

同時，為了克服傳統(tǒng)NAND芯片在高層數(shù)堆疊時外圍設備受損的問題，三星引入了創(chuàng)新的鍵合技術。這種技術將存儲單元和外圍電路分別在不同的晶圓上制造，然后通過鍵合技術將它們重新連接。這種方法不僅提高了存儲密度，還改善了散熱性能，使得400層NAND芯片能夠有效管理大量數(shù)據(jù)。

不過，三星還需大幅提升400層NAND良率，比如隨著層數(shù)增加，材料偏差和生產(chǎn)良率降低成為主要問題。同時，層數(shù)增加之后，字線間距減小，電干擾增加，需要采取措施減輕這種干擾。而且蝕刻工藝變得越來越復雜，需要更高的精度和更少的蝕刻次數(shù)以降低制造成本。

三星的目標是在2026年推出400層NAND，并計劃在2030年進一步發(fā)展到超過1000層的NAND技術些技術進。這將大幅提升存儲密度和性能，滿足數(shù)據(jù)中心、人工智能和高性能計算等領域的需求。

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