深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 IQE057N10NM6CGSC N 溝道 OptiMOS™ 6 MOSFET 晶體管
晶體管極性：N 溝道
通道數(shù)：1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓：100 V
Id - 持續(xù)漏極電流：98 A
Rds On - 漏極-源極電阻：5.7 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3.3 V
Qg - 柵極電荷：26 nC
最低工作溫度：- 55 C
最高工作溫度：+ 175 C
Pd - 功率耗散：125 W
通道模式：增強(qiáng)
下降時間：4.6 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時間：1.9 ns
典型關(guān)斷延遲時間：12 ns
典型導(dǎo)通延遲時間：5.6 ns
N 溝道、正常電平
極低導(dǎo)通電阻 Rps(on)
出色的柵極電荷 X Ros（導(dǎo)通）乘積（FOM）
極低的反向恢復(fù)電荷 (Qr)
雪崩能量等級高
175°C 工作溫度
針對高頻開關(guān)和同步整流進(jìn)行了優(yōu)化
無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范
無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
符合 J-STD-020 的 MSL 1 級標(biāo)準(zhǔn)
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