深圳市明佳達電子供應 英飛凌 IGD03N120S7 1200V 3A IGBT7 S7 晶體管
IGD03N120S7 是硬開關 1200 V、3 A 單 TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 分立器件，采用 TO-252 封裝，具有低 VCEsat，可在目標應用中實現(xiàn)極低的傳導損耗。
產(chǎn)品類別：IGBT
技術(shù)：硅
封裝/外殼：PG-TO252-3
配置：單
集電極-發(fā)射極電壓 VCEO 最大值：1.2 kV
集電極-發(fā)射極飽和電壓：1.65 V
25 C 時的連續(xù)集電極電流：10 A
Pd - 功率耗散：45 W
最低工作溫度：- 40 C
最高工作溫度：+ 150 C
柵極-發(fā)射極泄漏電流：100 nA
VCE = 1200 V
IC = 3 A
Tvj = 150°C 時的低飽和電壓 VCEsat = 2 V
短路穩(wěn)固性 8 µs
寬范圍 dv/dt 可控性
工業(yè)電機驅(qū)動和控制
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