深圳市明佳達電子有限公司推出英飛凌汽車MOSFET_IPB50N10S3L16_OptiMOS™-T 功率晶體管 MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
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制造商
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Infineon Technologies
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產(chǎn)品型號
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描述
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N 通道 100 V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-3-2
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特征
優(yōu)勢
潛在應用
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FET 類型
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N 通道
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技術
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MOSFET（金屬氧化物）
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漏源電壓（Vdss）
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100 V
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25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
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50A（Tc）
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驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
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15.4 毫歐 @ 50A，10V
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不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
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2.4V @ 60µA
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不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
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64 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
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4180 pF @ 25 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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100W（Tc）
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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