深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER™ NOR 閃存 IC
S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER™ NOR 閃存系列的成員，密度高達(dá) 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作，帶寬為 400 MByte/s，工作電壓為 1.8 V，接口頻率高達(dá) 200 MHz (DDR)，采用堅(jiān)固的英飛凌 PG-BGA-24 封裝。
密度：512 MBit
系列：HS-T
接口帶寬：400 MByte/s
接口頻率：200 MHz
接口：HYPERBUS
引腳球表面處理：錫/銀/銅
工作溫度：-40 °C - 85 °C
工作電壓：1.8 V 1.7 V 2 V
峰值回流焊溫度：260 °C
英飛凌 45 納米 MIRRORBIT™ 技術(shù)，在每個(gè)存儲(chǔ)器陣列單元中存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)位
扇區(qū)架構(gòu)選項(xiàng)
256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)（32 × 32 字節(jié)）的 OTP 安全硅區(qū) (SSR)
HYPERBUS™ 接口
帶有 HYPERBUS™ 接口的 SEMPER™ 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS™ 接口 (x8) 默認(rèn)啟動(dòng)
自動(dòng)啟動(dòng)功能可在上電后立即訪問存儲(chǔ)器陣列
通過 CS# 信號(hào)方法（JEDEC）和單獨(dú)的 RESET# 引腳進(jìn)行硬件復(fù)位
描述器件功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)
設(shè)備標(biāo)識(shí)、制造商標(biāo)識(shí)和唯一標(biāo)識(shí)
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