近日，有傳聞稱三星電子（Samsung Electronics）將于2025年逐步淘汰MLC NAND產(chǎn)能。對此，三星官方做出了明確回應(yīng)，強(qiáng)調(diào)市場傳言不實(shí)，并表示未來將持續(xù)生產(chǎn)MLC閃存。

據(jù)了解，此次傳聞起源于供應(yīng)鏈消息，稱三星將從2024年底開始停止在現(xiàn)貨市場銷售MLC NAND，并預(yù)計(jì)于2025年6月正式停產(chǎn)。這一消息引發(fā)了業(yè)界對三星未來的產(chǎn)品線調(diào)整的好奇。

供應(yīng)鏈企業(yè)透露，為了避免供應(yīng)中斷，存儲(chǔ)模組廠商已向三星提出最后采購需求，這進(jìn)一步加劇了市場對三星停產(chǎn)MLC NAND的猜測。

但三星明確表示這些傳言并不準(zhǔn)確。三星電子表示，雖然正在對產(chǎn)能進(jìn)行調(diào)整，以更好地滿足市場需求和推動(dòng)技術(shù)發(fā)展，但并未計(jì)劃停產(chǎn)MLC NAND。三星強(qiáng)調(diào)，將繼續(xù)根據(jù)市場需求和技術(shù)進(jìn)步，合理規(guī)劃和調(diào)整產(chǎn)能，確保產(chǎn)品的持續(xù)供應(yīng)。

對于此次傳聞的起源，有分析認(rèn)為可能與三星正在進(jìn)行的重大人事改組和產(chǎn)品線調(diào)整有關(guān)。據(jù)悉，三星計(jì)劃在年底前實(shí)施重大人事改組，以進(jìn)一步優(yōu)化管理結(jié)構(gòu)，提高運(yùn)營效率。同時(shí)，公司也在對產(chǎn)品線進(jìn)行調(diào)整，以更好地適應(yīng)市場變化和客戶需求。

MLC NAND（多層單元NAND閃存）曾經(jīng)因其較高的存儲(chǔ)密度和相對較低的生產(chǎn)成本而受到市場的青睞。然而，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場需求的不斷變化，MLC NAND在某些方面已逐漸顯現(xiàn)出其局限性。

首先，隨著3D NAND技術(shù)的成熟和大規(guī)模應(yīng)用，其數(shù)據(jù)傳輸速度和功耗性能得到了顯著提升。相比傳統(tǒng)的MLC NAND，3D NAND具有更高的存儲(chǔ)密度和更低的功耗，更能滿足現(xiàn)代應(yīng)用對于高性能存儲(chǔ)的需求。

其次，市場對于更高容量和更低成本的存儲(chǔ)解決方案的需求日益增長。TLC（三層單元NAND）和QLC（四層單元NAND）等新型存儲(chǔ)技術(shù)的興起，使得存儲(chǔ)容量得到了大幅提升，同時(shí)生產(chǎn)成本也相對較低。這使得MLC NAND在市場上的競爭力逐漸減弱。

數(shù)據(jù)顯示，2024年MLC NAND的全球供應(yīng)量將下降至約1.3%至1.5%，低于2023年上半年的2%。隨著三星退出MLC NAND生產(chǎn)，全球供貨比重可能進(jìn)一步降至0.6%。

三星此次停產(chǎn)MLC NAND的決策也與其整體戰(zhàn)略調(diào)整密切相關(guān)。近年來，三星一直在加大對高容量、高性能存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)投入，致力于推動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新和發(fā)展。

業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為，三星的這一決策將對整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。一方面，它標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)將迎來新的變革，高容量、高性能的存儲(chǔ)技術(shù)將成為未來市場的主流。另一方面，三星的停產(chǎn)決策也將對其他NAND供應(yīng)商產(chǎn)生一定的壓力，促使它們加快技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品升級(jí)的步伐。

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