韓國首爾，2024年11月21日 – SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，開始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存。

SK海力士表示：“公司從2023年6月量產(chǎn)當前最高的上一代238層NAND閃存產(chǎn)品，并供應(yīng)于市場，此次又率先推出了超過300層的NAND閃存，突破了技術(shù)界限。計劃從明年上半年起向客戶提供321層產(chǎn)品，由此應(yīng)對市場需求。”

公司在此次產(chǎn)品開發(fā)過程中采用了高生產(chǎn)效率的“3-Plug”工藝技術(shù)，克服了堆疊局限。該技術(shù)分三次進行通孔工藝流程，隨后經(jīng)過優(yōu)化的后續(xù)工藝將3個通孔進行電氣連接。在其過程中開發(fā)出了低變形材料，引進了通孔間自動排列（alignment）矯正技術(shù)。公司技術(shù)團隊也將上一代238層NAND閃存的開發(fā)平臺應(yīng)用于321層，由此最大限度地減少了工藝變化，與上一代相比，其生產(chǎn)效率提升了59%。

此次321層產(chǎn)品與上一代相比，數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能分別提高了12%、13%，并且數(shù)據(jù)讀取能效也提高10%以上。SK海力士將以321層NAND閃存積極應(yīng)對面向AI的低功耗、高性能新市場，并逐漸擴大其應(yīng)用范圍。

SK海力士NAND閃存開發(fā)擔(dān)當副社長崔正達表示：“公司率先投入300層以上的NAND閃存量產(chǎn)，在攻占用于AI數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤、端側(cè)AI等面向AI的存儲(Storage，存儲裝置)市場方面占據(jù)了有利地位。由此公司不僅在HBM為代表的DRAM，在NAND閃存領(lǐng)域也具備超高性能存儲器產(chǎn)品組合，將躍升為‘全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商’。”

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