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英飛凌推出新型功率模塊 FF2600UXTR33T2M1 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

深圳市明佳達(dá)電子有限公司英飛凌推出新型功率模塊 FF2600UXTR33T2M1 CoolSiC™ MOSFET 半橋模塊,3.3 kV,2.5 mΩ,采用 .XT 互聯(lián)技術(shù),用于實(shí)現(xiàn)交通脫碳。

特點(diǎn)

• 電氣特性

- VDSS = 3300 V

- IDN = 750 A / IDRM = 1500 A

- Tvj,op = 175°C

- 開(kāi)關(guān)損耗低

- 高電流密度

- 低電感設(shè)計(jì)

• 機(jī)械特性

- 高功率密度

- 封裝 CTI > 600

- 高爬電距離和間隙

- AlSiC 基板可提高熱循環(huán)能力

- 氮化鋁基板,熱阻低

制造商
Infineon Technologies
產(chǎn)品型號(hào)
描述
表面貼裝型 N 通道 120 V 23A(Ta),224A(Tc) 3W(Ta),283W(Tc) PG-HSOF-8-1
 

產(chǎn)品屬性

N-Channel
3.3 kV
720 A
3.1 mOhms
- 7 V, + 20 V
3.45 V
- 40 C
+ 175 C
XHP 2
配置: Dual
下降時(shí)間: 76 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET Modules
上升時(shí)間: 150 ns
商標(biāo)名: XHP CoolSiC
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 280 ns
典型接通延遲時(shí)間: 490 ns

潛在應(yīng)用

• 牽引驅(qū)動(dòng)裝置

• 大功率轉(zhuǎn)換器

• 高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用

公司首頁(yè):http://cx43.cn/

 

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點(diǎn)擊數(shù):0 | 更新時(shí)間:2024-11-15 14:27:25
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