隨著生成式AI和大模型參數(shù)量的激增，對高帶寬、高容量存儲的需求不斷上升，推動了HBM市場的快速增長，同時對HBM性能提出了更高的要求。11月4日，韓國SK集團會長崔泰源表示，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛要求SK海力士提前六個月供應(yīng)被稱為HBM4的下一代高帶寬內(nèi)存芯片。

HBM4作為最新一代的高帶寬內(nèi)存技術(shù)，相較于前代HBM3具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。HBM4在內(nèi)存密度和數(shù)據(jù)吞吐量方面有顯著提升，其內(nèi)存密度更高，支持更大的存儲容量，例如單個堆棧的容量可以達到32GB甚至更高。

同時，在帶寬方面，HBM4支持高達6.4 GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，并且接口寬度從1024位升級到2048位，從而顯著提高了并發(fā)數(shù)據(jù)傳輸?shù)哪芰Γ兄跍p少數(shù)據(jù)傳輸延遲，特別是在多處理器或多GPU系統(tǒng)中。

此外，HBM4還具備更低的功耗特性，對于需要長時間運行的高性能計算和AI應(yīng)用來說是一個重要的優(yōu)勢。

目前，英偉達與SK海力士簽訂了優(yōu)先供應(yīng)協(xié)議，重點集中在高性能內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域，尤其是HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用。

此前，英偉達、SK海力士以及臺積電已共同宣布深化三方合作，推動下一代高性能內(nèi)存技術(shù)HBM4的發(fā)展。預(yù)計HBM4將于2026年開始量產(chǎn)，將為下一代計算和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用帶來新的可能性。英偉達也計劃在2026年推出名為"Rubin"的下一代數(shù)據(jù)中心GPU架構(gòu)，該架構(gòu)將集成HBM4芯片。

隨著AI相關(guān)需求的增加，HBM4預(yù)計將在AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、汽車駕駛等高性能計算領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。比如，在AI訓(xùn)練與推理模型中，高階深度學(xué)習AI GPU規(guī)格的提升將拉動對HBM產(chǎn)品的需求和技術(shù)更迭。由此可見，在強勁的AI技術(shù)需求下，英偉達希望通過HBM4來確保其產(chǎn)品能夠支持這些快速增長的高帶寬需求。

更多行業(yè)新聞盡在明佳達電子：cx43.cn 。