深圳市明佳達電子供應 SK hynix HMAA8GR7CJR4N-XN低功耗高速寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊
HMAA8GR7CJR4N-XN 寄存 DDR4 SDRAM DIMMs（寄存雙倍數(shù)據(jù)速率同步 DRAM 雙列直插式內(nèi)存模塊）是使用 DDR4 SDRAM 器件的低功耗、高速運行內(nèi)存模塊。這些寄存 SDRAM DIMM 用于在服務器和工作站等系統(tǒng)中作為主內(nèi)存使用。
內(nèi)存容量：64GB
內(nèi)存技術：DDR4 SDRAM
產(chǎn)品電壓：1.2V
內(nèi)存速度：3200 MHz
RAM Standard：DDR4-3200/PC4-25600
錯誤識別：ECC
信號類型：寄存
列訪問選通（CAS）：CL22
級數(shù)：雙級 x4
引腳數(shù)量：288 引腳
內(nèi)存類型：RDIMM
電源： VDD=1.2V (1.14V 至 1.26V)
VDDQ= 1.2V (1.14V 至 1.26V)
VPP- 2.5V（2.375V 至 2.75V）
VDDSPD=2.25V 至 2.75V
16 個內(nèi)部存儲體
數(shù)據(jù)傳輸速率： PC4-3200、PC4-2933、2666、PC4-2400、PC4-2133、PC4-1866、PC4- 1600
雙向差分數(shù)據(jù)選通
8 位預取值
突發(fā)長度 (BL) 實時切換 BL8 或 BC4（突發(fā)斬波）
支持 ECC 錯誤糾正和檢測
片上終端 (ODT)
集成 SPD 的溫度傳感器
支持按 DRAM 尋址
可生成內(nèi)部 Vref DQ 電平
所有速度等級均支持寫 CRC
支持 DBI（數(shù)據(jù)總線反轉）（x8）
支持 CA 奇偶校驗（命令/地址奇偶校驗）模式
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