據(jù)報(bào)道援引消息人士稱，三星電子將從ASML引進(jìn)首臺High-NA EUV光刻機(jī)EXE:5000，預(yù)計(jì)2025年初到貨。這意味著三星將正式加入與英特爾和臺積電在下一代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)方面的競爭。

據(jù)悉，ASML的High-NA EUV光刻機(jī)EXE:5000是一款先進(jìn)的極紫外光刻設(shè)備，具有高數(shù)值孔徑（NA）和8nm的分辨率，相較于之前的NXE系列光刻機(jī)，其分辨率顯著提高。這款光刻機(jī)采用了0.55 NA的透鏡，能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的圖案化，從而支持更小的物理特征尺寸。

根據(jù)此前相關(guān)資料，EXE:5000的設(shè)計(jì)使其能夠每小時(shí)處理超過185片晶圓，相比NXE系列的產(chǎn)能有所提升。然而，目前的生產(chǎn)速度僅為每小時(shí)150片晶圓，預(yù)計(jì)到2026年左右將提升到每小時(shí)約200片晶圓。

EXE:5000光刻機(jī)預(yù)計(jì)將在2025年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。目前，該設(shè)備已經(jīng)向英特爾交付了首批模塊，并且正在安裝和測試中。繼英特爾、臺積電之后，三星也計(jì)劃于2025年初引進(jìn)首臺EXE:5000光刻機(jī)。

三星此前已與比利時(shí)微電子研究中心imec合作，在后者與ASML聯(lián)合建立的High NA EUV光刻實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了初步探索。

從技術(shù)工藝和路線圖規(guī)劃來看，目前三星已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了3納米制程的量產(chǎn)，并采用了GAA（環(huán)繞柵極）技術(shù)。然而，三星在良率方面仍面臨挑戰(zhàn)，未能完全超越臺積電的FinFET技術(shù)。

三星計(jì)劃在2025年量產(chǎn)2納米制程，并逐步擴(kuò)展到其他應(yīng)用領(lǐng)域。比如，2025年首先用于行動領(lǐng)域，2026年擴(kuò)展到高效能運(yùn)算（HPC）應(yīng)用，2027年再擴(kuò)展至汽車領(lǐng)域。三星的2納米制程節(jié)點(diǎn)采用了優(yōu)化的背面供電網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，以降低供電電路對信號電路的干擾。

三星還計(jì)劃將在2027年量產(chǎn)1.4納米制程，需要進(jìn)一步提升晶體管密度和性能。

然而，要實(shí)現(xiàn)以上技術(shù)目標(biāo)，三星必須加入到與英特爾、臺積電對ASML最新光刻設(shè)備的競爭中去。

不過，半導(dǎo)體設(shè)備安裝通常需要較長測試時(shí)間。該光刻機(jī)預(yù)計(jì)最快2025年中旬開始運(yùn)行。High-NA EUV為2納米以下先進(jìn)制程所需設(shè)備。韓國業(yè)界預(yù)期，三星也將正式啟動1納米芯片的商用化進(jìn)程。

從引進(jìn)High-NA EUV光刻機(jī)情況來看，英特爾已完成第二臺High NA EUV光刻機(jī)安裝；臺積電的首個(gè)機(jī)臺也將于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)交付。此外，在存儲領(lǐng)域，SK海力士的首臺High NA EUV光刻機(jī)則有望2026年引入。

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