采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。

2024年10月14日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast™氮化鎵功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim™，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域，進一步簡化和加速尺寸緊湊、高功率密度的應(yīng)用開發(fā)。

作為全新的氮化鎵功率芯片，GaNSlim采用納微專利的DPAK-4L封裝，具有高散熱性能，通過集成驅(qū)動、控制和保護，以及內(nèi)置的智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能，使得系統(tǒng)設(shè)計變得最為簡單、設(shè)計進展更快速和產(chǎn)品尺寸更小巧。此外，由于具備低于10µA的超低啟動電流和超低待機電流，GaNSlim可與SOT23-6控制器兼容，無需高壓啟動功能，就能滿足待機功耗要求。

集成的無損電流檢測功能可以省去外部電流檢測電阻，優(yōu)化了系統(tǒng)的效率和可靠性。過溫保護功能確保了系統(tǒng)的魯棒性，自動睡眠模式提高了輕載和無負載時的效率。智能化開關(guān)斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度，同時減少了外部元件的數(shù)量、系統(tǒng)成本和優(yōu)化了EMI性能。

GaNSlim采用了DPAK-4L封裝，該封裝為納微專利，具有高散熱性能、小外觀尺寸、低寄生電感。與其他傳統(tǒng)的QFN封裝相比，工作溫度低7°C以上，可支持高達500W的高功率密度設(shè)計。目標應(yīng)用市場包括手機和筆記本電腦的充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域。

納微半導(dǎo)體高級技術(shù)營銷經(jīng)理詹仁雄：“納微的氮化鎵功率芯片專注于以更高的集成度實現(xiàn)高效率、高性能的功率變換，打造最簡單的系統(tǒng)設(shè)計，盡可能縮短客戶產(chǎn)品從設(shè)計到市場的時間。

納微最新的GaNSlim系列產(chǎn)品，基于高度集成、簡單易用和成本優(yōu)化的理念打造而來，將持續(xù)助力納微開辟更多的客戶渠道，目前采用GaNSlim設(shè)計的在研項目已有超50個。同時，由于GaNSlim方案相比傳統(tǒng)硅具有更好的系統(tǒng)成本優(yōu)勢，正在500W以下的手機和筆電充電器、消費電子和家用電器多個市場得到廣泛應(yīng)用。”

GaNSlim家族NV614x系列產(chǎn)品，額定DC耐壓為700V，導(dǎo)通阻抗（RDS(ON)）從120m?到330m?，并分別針對隔離型和非隔離型電源拓撲作了相應(yīng)的性能優(yōu)化，可提供豐富的產(chǎn)品類型。

與納微半導(dǎo)體其他氮化鎵功率芯片一致，GaNSlim也同樣承諾20年有限質(zhì)保。此外，納微還準備了多種基于GaNSlim的demo板，QR反激、單極PFC、PFC+QR反激以及電視電源，幫助客戶快速的評估GaNSlim的性能，加快產(chǎn)品設(shè)計。