深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供求】英飛凌OptiMOS™ 5 IQE220N15NM5CG 低壓功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 降源中心柵封裝

說(shuō)明

IQE220N15NM5CG屬于 RDS(on) 為 22 mOhm 的源降系列。Source-Down 技術(shù)采用翻轉(zhuǎn)硅芯片，在元件內(nèi)部倒置。

它提高了散熱能力，改善了功率密度和布局可能性。新技術(shù)有標(biāo)準(zhǔn)柵極和中心柵極（針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化）兩種不同的基底面。

特征描述

• RDS(on) 為 22 mOhm
• 與 PQFN 封裝相比，RthJC 更好
• 提供中心柵極基底面
• 新的優(yōu)化布局可能性

優(yōu)勢(shì)

• 最高功率密度和性能
• 優(yōu)異的熱性能
• 有效利用空間
• 中心柵極實(shí)現(xiàn)理想的并行化
• 改善 PCB 損耗
• 減少寄生

潛在應(yīng)用

• 驅(qū)動(dòng)
• SMPS
• 服務(wù)器
• 電信
• 電池管理

明佳達(dá)【收購(gòu)】英飛凌功率晶體管：

FS13MR12W2M1HC55

IDWD150E65E7

IDWD20E65E7

IDYH10G200C5

IDWD75E65E7

FS28MR12W1M1HB11

IDWD100E120D7

IDWD140E120D7

IDWD30E120D7

IDWD40E120D7

IDWD50E120D7

IDWD60E120D7

IDWD75E120D7

IFF750B12ME7B11

GS-065-030-6-LR-MR

F3L500R12W3H7H11

IAUCN10S5L280D

IQE220N15NM5

IQE220N15NM5CG