產(chǎn)品介紹：

SK hynix通過開發(fā)HBM3鞏固了其在高速DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，HBM3是數(shù)據(jù)中心、超級計算機(jī)和人工智能領(lǐng)域尖端技術(shù)的最新高帶寬存儲器。

深圳市明佳達(dá)電子供求SK hynix 高帶寬存儲器 - H5UG7HME03X020R 16GB 6.0Gbps HBM3 DRAM, DDR5

產(chǎn)品：H5UG7HME03X020R

類型：DRAM, DDR5

密度：16Gb

KGSD密度：128Gb

速度：6.0Gbps

組織：x1024

電壓：1.1V

封裝：8Hi

先進(jìn)的散熱技術(shù)：

在相同的工作電壓水平下，HBM3的運行溫度低于HBM2E，增強(qiáng)了服務(wù)器系統(tǒng)環(huán)境的穩(wěn)定性。在相同的工作溫度下，SK hynix HBM3可以支持12芯片堆棧，容量是HBM2E的1.5倍，6Gbps I/O速度的帶寬是HBM2E的1.8倍。因此，SK hynix在相同的工作條件下具有更大的冷卻能力，實現(xiàn)了其Memory ForEST*計劃。

性能提升：

SK hynix HBM3的容量是HBM2E的1.5倍，由12個DRAM芯片堆疊而成，總封裝高度相同，適合AI和HPC等功率容量密集型應(yīng)用。單個立方體可以產(chǎn)生高達(dá)819GB/s的帶寬，而在同一芯片上具有六個HBM芯片的SiP(系統(tǒng)級封裝)可以實現(xiàn)高達(dá)4.8TB/s的帶寬，以支持exascale需求。

片上 ECC：

SK hynix HBM3還具有一個強(qiáng)大的定制設(shè)計的片內(nèi)ECC(糾錯碼)，它使用預(yù)先分配的奇偶校驗位來檢查和糾正接收數(shù)據(jù)中的錯誤。嵌入式電路允許DRAM自校正單元內(nèi)的錯誤，顯著增強(qiáng)了器件的可靠性。