深圳市明佳達(dá)電子有限公司提供英飛凌碳化硅MOSFET（FS13MR12W2M1HC55）CoolSiC™ MOSFET 六組模塊 1200 V

FS13MR12W2M1HC55器件說明

這是一款1200 V、13 mΩ EasyPACK™ 2B  CoolSiC™ MOSFET SixPACK三相橋模塊，采用增強型第一代CoolSiC™ MOSFET 、集成NTC溫度傳感器、PressFIT壓接技術(shù)，以及氮化鋁陶瓷材料。

特征描述

• 出色封裝，高度達(dá)12 mm
• 先進(jìn)的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料
• 非常低的模塊雜散電感
• 增強的第一代CoolSiC™ MOSFET
• 更大的柵極驅(qū)動電壓范圍
• 柵源電壓：+23 V和-10 V 
• 工作結(jié)溫（Tvjop）：過載條件下高達(dá)175°C
• PressFIT壓接引腳
• 集成了NTC溫度傳感器

優(yōu)勢

• 優(yōu)異的模塊效率
• 系統(tǒng)成本優(yōu)勢
• 提升系統(tǒng)效率
• 降低散熱需求
• 可實現(xiàn)更高的頻率
• 提高功率密度
• 更好的DCB材料導(dǎo)熱率

應(yīng)用

• 高頻開關(guān)應(yīng)用
• 電機傳動
• UPS 系統(tǒng)
• DC/DC 變換器
• 電動車直流充電

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