英偉達(dá)一直以來在AI芯片領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，其逆天性能的H200芯片已經(jīng)讓全球同行望塵莫及。而即將發(fā)布的B100芯片更是突破性的產(chǎn)品，將進(jìn)一步鞏固英偉達(dá)在該領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢。英偉達(dá)的技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)品創(chuàng)新能力，讓其成為業(yè)界矚目的翹楚，對于未來相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展也將起到重要推動作用。

英偉達(dá)即將發(fā)布的B100芯片性能逆天，將在英偉達(dá)GTC2024大會上亮相。這款旗艦產(chǎn)品將繼H200之后再次顛覆AI芯片領(lǐng)域。據(jù)悉，B100芯片搭載Blackwell架構(gòu)，采用先進(jìn)的3nm制程技術(shù)，擁有超強(qiáng)大的AI運(yùn)算能力。其能夠支持高達(dá)1730億參數(shù)的大語言模型，比現(xiàn)有H200芯片的性能高出一倍甚至更多。B100還采用了美光半導(dǎo)體的HBM3e內(nèi)存技術(shù)，預(yù)計(jì)其性能將提升超過100%，極大地增強(qiáng)處理復(fù)雜任務(wù)的速度和效率。另外，采用臺積電CoWoS-L封裝技術(shù)，使兩個計(jì)算芯片連接到8個8-HiHBM3e顯存堆疊，總?cè)萘扛哌_(dá)192GB，靈活性和效率大幅提升。

1、B100芯片的黑科技：Blackwell架構(gòu)和3nm制程技術(shù)

英偉達(dá)B100芯片采用了Blackwell架構(gòu)，并且采用了先進(jìn)的3nm制程技術(shù)，使其在性能上有了質(zhì)的飛躍。Blackwell架構(gòu)的應(yīng)用將帶來更高效的計(jì)算能力和更出色的能效比，使得B100具備了強(qiáng)大的AI運(yùn)算能力。而3nm制程技術(shù)的采用，則使得B100在保持強(qiáng)大性能的同時，還能大幅提升節(jié)能效果，為用戶帶來更好的使用體驗(yàn)。這種黑科技的加持，讓B100芯片成為業(yè)界矚目的焦點(diǎn)。

2、HBM3e內(nèi)存技術(shù)加持的超強(qiáng)性能

B100芯片搭載了美光最新的HBM3e內(nèi)存技術(shù)，預(yù)計(jì)性能將提升超過100%。這意味著在處理復(fù)雜任務(wù)時，B100芯片將擁有更高的速度和效率，為用戶帶來更流暢的體驗(yàn)。這項(xiàng)技術(shù)的運(yùn)用使得B100在內(nèi)存方面有了質(zhì)的提升，為其強(qiáng)大的性能提供了有力支撐，展現(xiàn)了英偉達(dá)在技術(shù)研發(fā)上的領(lǐng)先地位。

3、CoWoS-L封裝技術(shù)帶來的處理能力提升

B100芯片采用了臺積電的CoWoS-L封裝技術(shù)，將兩個計(jì)算芯片連接到8個8-HiHBM3e顯存堆棧，總?cè)萘扛哌_(dá)192GB。這種2.5D封裝技術(shù)不僅提高了B100處理能力，同時也節(jié)省了空間并降低了功耗，為用戶提供了更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品體驗(yàn)。這項(xiàng)封裝技術(shù)的應(yīng)用使得B100在性能和功耗控制上達(dá)到了更好的平衡，為用戶帶來了更高的性價比。

公司首頁：http://cx43.cn/