B1621PM2FDGUK-U是一款面向嵌入式應(yīng)用的 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz DRAM。

說明：

Kingston 的離散式低功率雙倍數(shù)據(jù)傳輸率 4 (LPDDR4) 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 旨在滿足嵌入式應(yīng)用的需求，并提供具有較低功耗的高速選項。LPDDR4 是專為智慧型手機、平板電腦、筆記型電腦等行動裝置的低功耗而設(shè)計的 DRAM。LPDDR4 以更高的頻率運作，可實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)存取、更佳的多工處理能力，同時消耗更少的電量，這對于延長可攜式裝置的電池續(xù)航力至關(guān)重要。此存儲器技術(shù)融合了晶片上終端 (ODT)、深度省電模式、更有效率的訊號介面等功能，可在不影響效能的情況下減少能源消耗，使其成為現(xiàn)代行動運算平臺的理想選擇。

應(yīng)用：

智慧型手機與平板電腦

手持式裝置

筆記型電腦和超薄筆電

穿戴式裝置

汽車

虛擬實境 (VR) 和擴增實境 (AR)

數(shù)位相機和攝錄影機

網(wǎng)路設(shè)備

工業(yè)和嵌入式系統(tǒng)

主要特性：

• 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)：每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸

• 高速數(shù)據(jù)傳輸由 8 位預(yù)取流水線架構(gòu)

• 雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通（DQS 和 /DQS）隨數(shù)據(jù)傳輸/接收，用于在接收器處收集數(shù)據(jù)

• DQS 針對 READ 與數(shù)據(jù)邊沿對齊；針對 WRITE 與數(shù)據(jù)中部對齊

• 差分時鐘輸入（CK_t 和 CK_c）

• DLL 將 DQ 和 DQS 轉(zhuǎn)換與 CK 轉(zhuǎn)換對齊

• 數(shù)據(jù)脫敏 (DM) 在數(shù)據(jù)選通的上升沿和下降沿寫入數(shù)據(jù)

• 支持寫入周期冗余代碼 (CRC)

• 支持用于讀取和寫入的可編程前置碼

• 可編程突發(fā)長度 4/8，含 nibble sequential 和 interleave 模式

• 突發(fā)長度動態(tài)切換

• MRS 選擇的驅(qū)動長度

• 支持動態(tài)片內(nèi)終結(jié)

• 兩個終止?fàn)顟B(tài)，例如可由 ODT 引腳切換的 RTT_PARK 和 RTT_NOM

• 支持異步 RESET 引腳

• 支持 ZQ 校準(zhǔn)

• 支持寫入均衡化

• 此產(chǎn)品符合 RoHS 指令要求

• 內(nèi)部 Vref DQ 電平生成可用

• 支持 TCAR（溫控自動刷新）模式

• 支持 LP ASR（低功耗自動自刷新）模式

• 支持命令地址 (CA) 奇偶校驗（命令/地址）模式

• 單 DRAM 尋址 (PDA)

• 支持精細(xì)粒度刷新

• 支持 Geardown 模式（1/2 速率、1/4 速率）

• 支持自刷新中止

• 支持最大節(jié)能模式

• 應(yīng)用了列分組，相同或不同列組存取中列的 CAS 至 CAS 延遲（tCCD_L、tCCD_S）可用

• 針對數(shù)據(jù)脫敏和 DBIdc 功能的 DMI 引腳支持

• 低功耗

• 每存儲體刷新

• 完全符合 JEDEC 低功耗雙數(shù)據(jù)速率 4 (LPDDR4) 規(guī)范

• 局部自刷新 (PASR)

o 存儲體脫敏

o 內(nèi)置溫度傳感器的

內(nèi)置溫度傳感器的

o 自動溫度補償?shù)淖运⑿?(ATCSR)

o 支持所有存儲體自動刷新和定向每存儲體自動刷新

• 雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu)；每一個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸

• 差分時鐘輸入（CK_t 和 CK_c）雙向差分?jǐn)?shù)據(jù)選通 (DQS_tandDQS_c) 在上升和下降 CK_t 沿輸入的命令；引用 DQS_t 的兩個邊沿的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)脫敏

• 針對數(shù)據(jù)脫敏和 DBIdc 功能的 DMI 引腳支