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供求原裝Infineon - ISK018NE1LM7AULA1 129 A、15V N通道功率MOSFET

 明佳達(dá)電子供求原裝Infineon - ISK018NE1LM7AULA1 129 A、15V  N通道功率MOSFET

 

概述

ISK018NE1LM7是業(yè)界首款15 V額定溝槽功率MOSFETs產(chǎn)品系列的一部分,具有2.15 mOhm的極低RDS(on ),同時(shí)提供超過500 A的脈沖電流能力,與外殼底部的典型熱阻結(jié)(RthJC)為1.6 K/W,4 mm2的小型封裝可顯著節(jié)省空間,PCB布局靈活,同時(shí)改善了外形尺寸。

產(chǎn)品名稱:ISK018NE1LM7AULA1

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):15 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Ta),129A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,7V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.8 毫歐 @ 20A,7V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2V @ 106µA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):13.6 nC @ 7 V

Vgs(最大值):±7V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1600 pF @ 7.5 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),39W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝:PG-VSON-6-1

封裝/外殼:6-PowerVDFN

 

特征

N通道,邏輯電平

極低的導(dǎo)通電阻(開)

超耐熱

100%雪崩測試

無鉛電鍍;RoHS順從性

不含鹵素,符合IEC61249-2-21

優(yōu)化高性能SMPS,例如同步整流

 

潛在應(yīng)用

• SMPS

• 計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器

• 數(shù)據(jù)通信

• 人工智能

更多
點(diǎn)擊數(shù):0 | 更新時(shí)間:2024-08-19 09:57:53
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