明佳達電子銷售及回收Infineon — F3L8MR12W2M1HPB11 三電平1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy模塊
概述
F3L8MR12W2M1HPB11模塊是一款英飛凌EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 三電平模塊，采用具有增強型第一代溝槽技術的CoolSiC™ MOSFET、集成式NTC溫度傳感器、預涂熱界面材料和PressFIT 壓接技術。
特性
• 電氣特性
- VDSS = 1200 V
- IDN = 100 A / IDRM = 200 A
- 高電流密度
- 低開關損耗
• 機械特性
- 集成的安裝夾使安裝堅固
- 集成 NTC 溫度傳感器
- PressFIT 壓接技術
- 預涂導熱介質(zhì)
應用
• 太陽能應用
• 三電平應用
• 電動車直流充電
產(chǎn)品認證
• 根據(jù) IEC 60747、60749 和 60068 標準的相關測試，符合工業(yè)應用的要求。
