提高占世界大部分電力消耗的電源和電機的效率已成為實現(xiàn)脫碳社會的重大障礙。采用 GaN 和 SiC 等新材料是提高電源效率的關(guān)鍵。

在 2023 年 3 月開始批量生產(chǎn) 2022 年柵極擊穿電壓為 8 V 的 150 V GaN HEMT 之后，ROHM 開發(fā)了控制 IC 技術(shù)以最大限度地提高 GaN 性能。這一次，ROHM 推出具有市場領(lǐng)先性能的 650 V GaN HEMT，有助于在更廣泛的電源系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率和更小的尺寸。

描述

BM3G007MUV-LBE2器件非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。另外，其柵極驅(qū)動強度可調(diào)節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。

特征

Nano CAP™集成輸出可選5V LDO

為工業(yè)應用提供長期支持產(chǎn)品

寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓

IN引腳電壓的寬工作范圍

低VDD 靜態(tài)和工作電流

低傳播延遲

高dv/dt抗噪性

可調(diào)柵極驅(qū)動器強度

電源良好信號輸出

VDD UVLO保護

熱關(guān)斷保護

應用

工業(yè)設(shè)備

電源與大功率密度

高效需求

橋拓撲結(jié)構(gòu)如圖騰柱PFC

LLC電源

適配器