摘要：“半導(dǎo)體解決方案是實(shí)現(xiàn)氣候目標(biāo)的關(guān)鍵，英飛凌可以通過(guò)半導(dǎo)體解決方案，達(dá)到低碳化的效果。寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN，體積比較小，密度高，效能高，在解決氣候問(wèn)題的時(shí)候可以發(fā)揮最優(yōu)效果。作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌憑借持續(xù)的技術(shù)革新與市場(chǎng)布局，在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著引領(lǐng)作用，致力于滿足經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展對(duì)于更高能效、更環(huán)保的半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求。”

7月8日到10日，在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi)，英飛凌展示了第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺(tái)的時(shí)候，看到如下方案：一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品；二是用于2000V CoolSiCTM MOSFET的相關(guān)產(chǎn)品。展臺(tái)工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET Gen2技術(shù)，新產(chǎn)品與上一代產(chǎn)品相比，將MOSFET的主要性能指標(biāo)（如能量和電荷儲(chǔ)量）提高了20%，顯著提升整體能效。

新一代碳化硅技術(shù)CoolSiCTM MOSFET

邱柏順指出，在全球追求綠色能源，減碳大目標(biāo)下，全球能源領(lǐng)域有三大趨勢(shì)日益明顯：1、電氣化，任何東西都要變成電來(lái)驅(qū)動(dòng)，什么樣的半導(dǎo)體可以帶來(lái)比較好的性能，2、使用綠色能源，包括光伏、風(fēng)電；3、使用器件達(dá)到更加節(jié)能的效果，新器件需要更高功率，系統(tǒng)功耗更小，碳排放量更小。

邱柏順?lè)窒碜钚耏ole數(shù)據(jù)，到 2029 年，預(yù)計(jì) WBG 將占全球電力電子市場(chǎng)的近 33%，其中 SiC 和 GaN 分別占 26.8% 和 6.3%。從消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心到新能源汽車(chē)帶動(dòng)GaN市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，2029年GaN的市場(chǎng)容量會(huì)達(dá)到22億美元，受到工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的推動(dòng)，SiC的市場(chǎng)容量2029年將達(dá)到100億美元。

引用地址：重磅！英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案，助力低碳化和數(shù)字化目標(biāo)達(dá)成！本文原創(chuàng)是電子發(fā)燒友，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。