深圳市明佳達電子有限公司原裝現(xiàn)貨推出Wolfspeed第2代分立SiC MOSFET（C2M0280120D）碳化硅MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
特點
• C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)
• 高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻
• 高速開關(guān)，低電容
• 快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)
• 無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范
描述
Cree C2M™ 碳化硅(SiC)功率 MOSFET 使工程師能夠取代硅晶體管（IGBT），開發(fā)出具有極快開關(guān)速度和超低開關(guān)損耗的高壓電路。Cree C2M碳化硅MOSFET搭配Cree Z-Rec®碳化硅肖特基二極管一起用于全碳化硅系統(tǒng)，使設(shè)計工程師能實現(xiàn)市面同等參數(shù)的硅功率器件上不可能達到的那種能效、尺寸和重量降低。
參數(shù)
| Wolfspeed | ||
| 產(chǎn)品種類: | 碳化硅MOSFET | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 配置: | Single | |
| 下降時間: | 9.9 ns | |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值: | 2.8 S | |
| Id-連續(xù)漏極電流: | 10 A | |
| 最大工作溫度: | + 150 C | |
| 最小工作溫度: | - 55 C | |
| 安裝風(fēng)格: | Through Hole | |
| 通道數(shù)量: | 1 Channel | |
| 封裝 / 箱體: | TO-247-3 | |
| Pd-功率耗散: | 62.5 W | |
| 產(chǎn)品類型: | SiC MOSFETS | |
| Qg-柵極電荷: | 5.6 nC | |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: | 280 mOhms | |
| 上升時間: | 7.6 ns | |
| 工廠包裝數(shù)量: | 30 | |
| 技術(shù): | SiC | |
| 晶體管極性: | N-Channel | |
| 典型關(guān)閉延遲時間: | 10.8 ns | |
| 典型接通延遲時間: | 5.2 ns | |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 1.2 kV | |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 10 V, + 25 V | |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.8 V |
應(yīng)用
• 可再生能源
• 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
• 開關(guān)模式電源
• 不間斷電源
有意者，請聯(lián)系陳先生：
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