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英飛凌碳化硅MOSFET F4-33MR12W1M1H 1200 V CoolSiC? MOSFET Fore PACK H橋模塊

明佳達(dá)公司長(zhǎng)期收購(gòu)英飛凌碳化硅MOSFET F4-33MR12W1M1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H橋模塊

描述

這是一款第一代1200 V,33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET Fore PACK H橋模塊,帶NTC溫度傳感器,采用PressFIT壓接技術(shù)。

特征描述

出色封裝,高度達(dá)12 mm

先進(jìn)的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料

非常低的模塊雜散電感

增強(qiáng)的第一代CoolSiC™ MOSFET

更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍

柵源電壓:+23 V和-10 V 

工作結(jié)溫(Tvjop):過載條件下高達(dá)175°C

PressFIT壓接引腳

集成了NTC溫度傳感器

優(yōu)勢(shì)

優(yōu)異的模塊效率

系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)

提升系統(tǒng)效率

降低散熱需求

可實(shí)現(xiàn)更高的頻率

提高功率密度

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

儲(chǔ)能系統(tǒng)

電動(dòng)汽車快速充電

太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

圖表

回收具體流程:

1.您將積壓的IC/模組庫(kù)存進(jìn)行簡(jiǎn)單分類,確定型號(hào)、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等.

2.請(qǐng)將庫(kù)存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們?cè)u(píng)估團(tuán)隊(duì).

3.等待公司專業(yè)人士的采購(gòu)報(bào)價(jià),達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付.

4.公司只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源.

公司網(wǎng)址:cx43.cn

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